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2013年に登場して以来、ハイエンドAndroidスマートフォンの頭として広く普及しているSnapdragon 800シリーズのSoCですが、来年2017年には、スマートフォンの飛躍的な性能向上が期待できそうです。

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今回は2016年内に発表されるとみられている次期SoC、"Snapdragon 830" (MSM8998)について、現状分かっていることをまとめてみたいと思います。

注意
Snapdragonの設計元である米Qualcommは2016年7月現在、正式な発表を行っていないため、掲載する情報の真偽は不明です。
事実とは異なる可能性もあるので、あらかじめご了承ください。


それでは参りましょう。


Snapdragon 830のCPU部は8コア構成?LTEの通信速度向上も

過去にSnapdragon 820に関するリーク等があり、一定の信憑性がある中国のITアナリスト、潘九堂 (Pan Jiutang)氏のWeiboアカウントよりリークした情報です。

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ソース:Weibo
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こちらの投稿によると、Snapdragon 830は10nm FinFETプロセスで製造され、CPU部はSnapdragon 820に採用されているQualcommの独自コア"Kyro"による8コア(オクタコア)構成、モデム部は理論上下り最大1Gbpsの高速通信が可能な最新規格、Cat.16に対応するとのことです。

S820はKyro 100による4コア(クアッドコア)構成のSoCなので、コア数だけで言えば倍になったということになります。
しかし、コア数の増減がそのまま性能に結びつく訳ではないため、S820比でどの程度の性能向上が実現されるかは分かりませんが、S830に搭載されるKyroコアは、S820のKyro 100に改良が加えられた"Kyro 200"になるとの情報もあり、コア数のみの変更ではない可能性が高そうです。

モデム部はギガビットクラスに対応するとのことで、Qualcommが2月に発表したSnapdragon X16 LTEが採用されるとみられています。
S820は下り最大600Mbps/上り最大150MbpsのSnapdragon X12 LTEモデムが統合されていたので、今後最新の高速データ通信網が張り巡らされる国では、それなりの通信速度向上が期待できるでしょう。

また同氏の投稿では、S830と同世代のモバイル端末向けSoCとみられる、MediaTek製のHelio X30やHisilicon製のKirin 960に関する情報もリークされています。
特にHelio X30はAntutuベンチマークで16万点付近の高スコアを叩き出す10コアSoCのようで、Qualcomm製やSamsung製のハイエンドSoCは基本的にこれを上回る可能性が高いことから、今後登場する2017年世代のスマートフォンは、大きな性能向上が期待できそうです。

発熱は問題ない?

8コアSoCといえば2015年のハイエンドスマートフォンに多く採用され、熱いSoCとして世間を賑わせたSnapdragon 810がありますが、その後継であるSnapdragon 820は、今のところ異常な発熱などの報告はなく、大きな性能向上も果たしたことから、概ね高評価であると言えるでしょう。
S820搭載機でもヒートパイプを内蔵するスマートフォンがいくつか存在しますが、これは性能向上を図る上で起こる許容範囲内の発熱に対する対策であり、アプリケーションのアップデートや4K動画の撮影時など、高負荷時にSoC周辺の1ヶ所に熱が集中するのを避けるためのものであると考えられます。

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S820を搭載するXperia X Performanceに内蔵されているヒートパイプ

Snapdragon 830は再びCPU部が8コアになるとみられていますが、まだ情報が少なく、発熱面でどうなるかは定かではありません。
しかし、S810で評価を大きく下げたQualcommが、再び同じ問題を起こすとは考えにくく、ユーザー体験を損なうまでの性能向上は行わないようにするのではないかと思われます。
製造プロセスは10nmクラスに微細化されるとみられていますが、発熱に関しては他の要因も大きく関わりますので、製造プロセスの微細化による低発熱化はあまり期待できそうにありません。
GPU部には"Adreno 540"を搭載?次世代メモリ規格にも対応

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IT関連のリークで実績があるC科技がWeiboに投稿した内容
ソース:Weibo


Snapdragon 820はGPU部にAdreno 530を搭載し、Adreno 430を搭載したSnapdragon 810比で40%の性能向上、40%の消費電力抑制が実現されました。

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Snapdragon 830ではGPU部に新しく"Adreno 540"が搭載され、さらに現行のLPDDR4メモリと比較して、最大50%の消費電力抑制を実現するLPDDR4X規格のメモリに対応するとの情報がリークされています。

一般的に大容量のメモリを搭載すると、消費電力が増えてしまうため、バッテリーでの動作が主なスマートフォンでは悩ましい点でした。
しかし、LPDDR4X規格のメモリであれば、これまでと同等の消費電力で、より大容量なメモリを動作させることが可能なので、スマートフォンの更なるエクスペリエンス向上に期待できそうです。

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Samsungが作成したLPDDR4Xに関する資料

Adreno 540が、どの程度の処理能力を持つのかまでは不明ですが、その名前から推測すると、A4xxからA5xxのような世代的な進化は少なく、パフォーマンスや消費電力の限定的な改善がメインといった形になるのではないでしょうか。

わたしのかんそう

Snapdragon 830を搭載する2017年のスマートフォンがどう進化していくのか、非常に楽しみです。
これ以上の性能向上が実現されても、モバイル端末向けのSoCとしてはすでにオーバースペックの域に入ってきているので、個人的には性能を維持したまま発熱や消費電力を抑える方向に進んでいただいても良いのかなと思っています。
それでも、やはり性能向上にはロマンを感じますね。最先端の技術が詰まったハイエンド機でベンチマークを走らせてニヤニヤするのも悪くありません。

Snapdragon 830機は、私のキャリア機のサイクル的に国内端末を買う予定なので、ゆっくり登場を待ちたいと思います。



製品情報ページ (画像引用元):
phoneArena.com
ASCII - Xperia X Performanceの放熱性能をガチテスト!メタル製背面パネルの効果大
PHANDROID
ANANDTECH

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